4 月 30 日消息，近年來(lái)，三星的代工業(yè)務(wù)遭遇了巨大挑戰(zhàn)，鮮有知名芯片廠商（除三星自家用于 Exynos 處理器的 System LSI 部門(mén)之外）采用其 3nm 及更新的 4nm 制程工藝。然而，三星仍在積極研發(fā)更先進(jìn)的芯片制程，其中就包括 2nm 制程。

據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星 Foundry 正致力于下一代環(huán)繞柵極晶體管 (GAA) 技術(shù)的研發(fā)，該技術(shù)將用于其 2nm 制程工藝，基于該技術(shù)的 2nm 半導(dǎo)體芯片計(jì)劃于明年量產(chǎn)。

此外，三星將在 6 月 16 日至 20 日于美國(guó)夏威夷舉行的 VLSI 研討會(huì)上展示用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技術(shù)論文，VLSI 研討會(huì)與國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 和國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 并稱為全球三大頂尖半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)。

據(jù)IT之家了解，GAA 是一種新型的晶體管設(shè)計(jì)，可改善電流流動(dòng)并提高能效。三星 Foundry 在其第一代 3nm 制程工藝中首次引入了 GAA 技術(shù)。然而，除三星自家 Exynos 處理器之外，尚未有其他芯片廠商采用該技術(shù)，例如 AMD、蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)和高通。預(yù)計(jì)三星 System LSI 部門(mén)將成為首家使用三星 Foundry 3nm 制程（用于下一代手機(jī)和智能手表芯片）的廠商。

相比于采用 5nm 制程的芯片，第一代 3nm GAA 芯片的晶體管面積減少了 16%，性能提升了 23%，能效提高了 45%。第二代 3nm 制程預(yù)計(jì)將使晶體管面積減少 35%，性能提升 30%，能效提升 50%。用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技術(shù)則有望實(shí)現(xiàn)晶體管面積減少 50% 和性能提升 50%。

三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電目前尚未在其先進(jìn)制程工藝中采用 GAA 技術(shù)。三星計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)采用第二代 3nm GAA 技術(shù)的芯片（例如用于 Galaxy S25 的處理器），預(yù)計(jì)英特爾和臺(tái)積電將在其下一代 2nm 制程中采用 GAA 技術(shù)